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场效应MOS管IRFZ44N参数

PD最大耗散功率:94WID最大漏源电流:49AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.0175ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFZ44N是一款常用的N沟道功率MOSFET,具有高电流能力和低导通电阻。非常适合用于高效率电源转换和开关电路。下面是对其应用场景和参数特征的解读。

    一、应用场景

    1. DC-DC转换器:IRFZ44N广泛应用于直流电源转换电路,特别是升压或降压转换器,并且可以实现高效率。

    2. 电机控制:常用于电机驱动电路,尤其是直流电机的PWM速度控制。高电流处理能力提高了高速开关性能,适用于高功率电机驱动。

    3. 电池管理系统:在电动汽车和其他便携式设备中,IRFZ44N用作保护和控制开关,使电池管理系统能够优化电池充电和放电过程。

    4. 太阳能逆变器和UPS系统:由于其出色的开关性能,IRFZ44N在高频开关和能量转换应用中发挥着重要作用,特别是当太阳能系统需要高效的逆变器功能时,是一个理想的选择。

    5. 开关模式电源(SMPS):在电源设计中经常使用,尤其是工业和家用电器中的各种开关电源,可以提高整体系统的能源效率。

    二、参数特点

    1. 低导通电阻(Rds(on)):IRFZ44N的典型导通电阻约为17.5毫欧,因此开关导通损耗极低,效率得到改进。

    2. 高耐压:最大漏源电压为55V,适用于中压转换和开关电路,能有效承受电路电压冲击中的电压瞬变。

    3. 高电流能力:IRFZ44N的最大连续漏极电流为49A,脉冲电流可达160A,足以应对大电流应用。

    4. 栅极驱动电压:其标准栅极驱动电压为10V,但在某些情况下可以在5V左右驱动,使得它与各种低压控制设备兼容,并允许直接连接到微控制器等设备。IRFZ44N具有约67nC的低栅极电荷,可以在高频应用中快速改变开关状态,是需要高频开关的应用的理想选择。

    总体而言,IRFZ44N的高效开关性能、高电流容量和宽电压范围使其成为许多电源转换和驱动应用的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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