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场效应MOS管IRFW820A参数

PD最大耗散功率:49WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFW820A是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:IRFW820A在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,常用于主开关元件。其高效的导通特性和快速的开关速度能够显著提升电源转换效率,减少热损耗。

    2. 电动汽车控制系统:在电动汽车的电池管理系统和驱动电路中,IRFW820A作为开关器件,可以实现高效的电能转换和管理,保证电池寿命和整车性能的稳定。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,IRFW820A被用作逆变器的关键元件,帮助将直流电转换为交流电,同时维持高效率和可靠性。

    4. 工业控制设备:在各种工业自动化设备中,IRFW820A用于电机驱动和控制电路,可以实现高效、可靠的控制系统,适应苛刻的工业环境。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,IRFW820A由于其低导通电阻和高线性度,常被用于输出级,提供高质量的音频输出。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):IRFW820A的最大漏源电压为500V,这使其能够在高压环境下安全运行,适用于各种高压应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on)):该型号的典型导通电阻为0.75Ω,低导通电阻使其在开关时产生的损耗较小,有助于提高系统的整体效率。

    - 最大漏极电流(Id):IRFW820A的最大连续漏极电流为9.7A,这意味着它可以处理较大的电流负载,适用于高功率应用。

    - 开关速度:IRFW820A具有较快的开关速度,开关时间通常在纳秒级别。这一特点使其特别适合高频开关电源和逆变器应用,有助于提高设备的转换效率和响应速度。

    - 热特性:IRFW820A的结-壳热阻为0.75°C/W,良好的热特性使其能够有效散热,保证在高功率应用中的稳定运行。

    综上所述,IRFW820A凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度和良好的热特性,在各种电力电子设备中发挥了重要作用,成为工程师们常用的功率MOSFET之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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