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场效应MOS管IRFW730B参数

PD最大耗散功率:73WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFW730B是一款非常出色的N沟道功率MOSFET,其在各种应用场景中都表现出色,特别适用于需要高效电力管理的领域。下面将详细介绍IRFW730B的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRFW730B常用于开关电源中,作为主开关管。其高效的开关特性和低导通电阻使其在高频开关电源中表现出色,能够显著提高系统的整体效率并减少热损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,IRFW730B的高电流承载能力和快速开关速度使其非常适合用于直流电机的控制。它能够快速响应控制信号,实现精确的电机速度和方向控制。

    3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的能量转换器件,IRFW730B因其低损耗和高可靠性,在这类应用中广受欢迎。它能够有效地将直流电转换为交流电,最大限度地提高太阳能系统的整体效率。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,IRFW730B用于电池的充放电控制。其高电流处理能力和低导通电阻能够确保电池在充放电过程中的高效性和安全性。

    5. 汽车电子:汽车电子系统中,IRFW730B被广泛应用于车载电源管理模块、电子控制单元(ECU)等场景。其耐高温和高电压特性,确保了其在复杂的汽车环境中能够稳定工作。

    二、参数特点:

    1. 电压和电流能力:IRFW730B具有500V的击穿电压和42A的连续漏极电流能力,使其适用于高压和高电流的应用场景。这种高电压和电流能力确保了在苛刻条件下的稳定性能。

    2. 低导通电阻(RDS(on)):IRFW730B的典型导通电阻为0.075Ω,这种低导通电阻特性显著降低了导通损耗,提高了整体效率,尤其是在高频应用中。

    3. 开关特性:IRFW730B具备快速的开关特性,典型的上升时间为12ns,下降时间为38ns。这种快速的开关速度有助于在高频操作中减少开关损耗,提高系统效率。

    4. 热性能:IRFW730B的热阻(结到壳)仅为0.63°C/W,这意味着它具有良好的散热性能,能够在高功率密度应用中保持较低的结温,从而提高器件的可靠性和使用寿命。

    5. 封装:IRFW730B采用TO-247AC封装,这种封装形式提供了优良的热性能和机械稳定性,适用于各种苛刻的应用环境。此外,TO-247AC封装还方便了散热器的安装,提高了散热效率。

    综上所述,IRFW730B因其高电压、高电流能力,低导通电阻,快速开关速度和优良的热性能,在电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统以及汽车电子等多个领域有着广泛的应用。其各项参数特点使其在实际应用中表现出色,是众多工程师的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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