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场效应MOS管IRFW654B参数

PD最大耗散功率:156WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFW654B是一款常用于电力电子和高功率应用的场效应晶体管(MOSFET)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:IRFW654B在高效电源转换器中,作为开关元件,能够提高电源转换效率,减少能量损耗,从而延长设备的使用寿命。

    2. 电动汽车控制系统:在电动汽车中,IRFW654B可用于驱动电机和电池管理系统,有助于提高汽车的动力输出和能量效率。

    3. 太阳能逆变器:IRFW654B在太阳能光伏系统中,起到关键的转换和控制作用,使太阳能电池板的直流电转换为交流电供家庭和工业使用。

    4. 不间断电源(UPS)系统:在UPS系统中,IRFW654B能够快速切换,确保在电力故障时,电池能够迅速接管,提供稳定的电力输出。

    5. 工业控制系统:IRFW654B在工业自动化设备中,用于控制大功率负载,例如电动机、泵和压缩机,确保系统的高效运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:IRFW654B的最大击穿电压为100V,这使其适用于高电压应用场景,如电源管理和电动汽车控制系统。

    - 低导通电阻:IRFW654B的典型导通电阻为0.019欧姆,这确保了在大电流下的低能量损耗和高效率。

    - 高电流承载能力:IRFW654B的最大连续漏极电流为42A,这使其能够承载高功率负载,适用于电动汽车和工业控制系统等高功率应用。

    - 快速开关速度:IRFW654B具有较快的开关速度,使其在需要快速响应的应用中表现优异,如UPS系统和太阳能逆变器。

    - 低栅极电荷:IRFW654B的典型栅极电荷为48nC,低栅极电荷意味着更少的驱动功率需求,使其适用于高效电源管理和便携式设备中。

    综上所述,IRFW654B是一款性能卓越的MOSFET,因其高击穿电压、低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和低栅极电荷等优点,被广泛应用于电源管理系统、电动汽车控制系统、太阳能逆变器、不间断电源系统和工业控制系统等高功率电子设备中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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