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场效应MOS管IRFW630B参数

PD最大耗散功率:72WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFW630B是一种非常常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和系统中。其主要应用场景包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRFW630B在开关电源中,被用作主要的开关元件。其高效率和快速切换能力,使其在开关电源中能够有效地减少功率损耗,提高电源转换效率。

    2. 电动机驱动:在电动机控制系统中,IRFW630B常用于驱动电路中,尤其是在直流电机和步进电机的驱动中。它能够提供高电流、高效率的电力传输,确保电动机的稳定运行。

    3. 不间断电源:在UPS系统中,IRFW630B被用作逆变器的核心组件之一,帮助将直流电转换为交流电,提供稳定的电力供应。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,IRFW630B用于太阳能逆变器,帮助将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供家庭或电网使用。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRFW630B应用于各种控制模块,如电子燃油喷射系统、车灯控制系统等,为汽车提供高效的电力管理。

    二、参数特点:

    - 漏源电压:IRFW630B的最大漏源电压为200V,这使得它能够在高压环境下工作,适用于需要高电压操作的应用场景。

    - 连续漏极电流:IRFW630B能够承受的最大连续漏极电流为9.0A(@25°C),这意味着它可以在高电流负载下稳定运行。

    - 导通电阻(Rds(on):IRFW630B的导通电阻非常低,典型值为0.8Ω,这显著降低了开关损耗,提高了整体效率。

    - 栅极电荷:IRFW630B的栅极电荷为39nC,这使得它在开关过程中能够快速响应,适用于高频开关应用。

    - 封装形式:IRFW630B采用TO-220AB封装,这种封装形式具备良好的散热性能和机械强度,便于安装和使用。

    综上所述,IRFW630B凭借其高电压、高电流承载能力以及低导通电阻和快速响应的特点,成为电力电子领域中的重要器件,广泛应用于各类电力转换和控制系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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