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场效应MOS管IRFW520A参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:9.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFW520A是一种N沟道功率MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:IRFW520A常用于开关电源 (Switching Power Supplies) 中,作为开关元件来提高转换效率。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效率和高功率密度的设计中尤为重要。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,IRFW520A被用作控制器件。由于其快速开关特性和高耐压性,可以有效控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、机器人和电动工具等领域。

    3. 逆变器:IRFW520A在逆变器电路中作为主要的开关元件使用,能够将直流电转换为交流电。其高效能和可靠性使其在太阳能发电系统和不间断电源 (UPS) 系统中得到广泛应用。

    4. 照明控制:在LED照明驱动电路中,IRFW520A可用来调节LED的亮度和功率输出。其高开关速度和低损耗特性,确保了LED驱动电路的高效和稳定性。

    5. 音频放大器:在高功率音频放大器中,IRFW520A作为输出级元件,提供高保真音频信号的放大。其低失真和高可靠性,使其在专业音响设备和家庭影院系统中非常受欢迎。

    二、参数特点:

    - 导通电阻 (R_DS(on)) 低:IRFW520A的典型导通电阻为0.2欧姆,这意味着在导通状态下损耗较小,效率较高。

    - 高电流承载能力:IRFW520A的连续漏极电流为9.2A,脉冲漏极电流可达36A,适用于需要高电流处理能力的应用场合。

    - 耐高压:IRFW520A的漏源极击穿电压为100V,这使得其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于电源管理和电机控制等高压应用。

    - 快速开关速度:IRFW520A具有快速的开关时间,开通时间典型值为60ns,关断时间典型值为70ns。这样的特性使其在高频开关电路中表现出色,减少了开关损耗,提高了整体效率。

    - 高输入电容 (C_iss):IRFW520A的输入电容典型值为540pF,这在一定程度上决定了其开关速度和驱动需求。合适的驱动电路设计可以优化其开关性能,确保稳定运行。

    通过以上详细的应用场景和参数特点的描述,可以看出IRFW520A是一款性能优异且应用广泛的功率MOSFET,适用于多种电子电气设备的设计和制造。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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