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场效应MOS管IRFU430B参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:3.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFU430B是一种N沟道功率MOSFET,具有高效能和多功能的特点,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):IRFU430B常用于开关电源中,由于其低导通电阻和高开关速度,可以提高电源的转换效率并减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,IRFU430B因其高电流承载能力和可靠的热性能表现,能够有效控制电机的启动和停止,提升系统的整体性能。

    3. DC-DC转换器:IRFU430B适用于各种DC-DC转换器电路,凭借其高效率和低漏电流特性,可以在转换过程中保持较高的效率,适合便携式设备和工业控制系统。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,IRFU430B能够在充电和放电过程中提供稳定的电流控制,确保电池的安全性和寿命。

    5. 负载开关:IRFU430B也被广泛应用于各类负载开关电路中,其高开关速度和低导通电阻,使其能够在负载变化时迅速响应,提高系统的可靠性和效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFU430B具有极低的导通电阻(RDS(on)),典型值为0.080Ω,这使其在工作时能够减少功率损耗,提高整体效率。

    - 高电流承载能力:IRFU430B的最大漏极电流(ID)为19A,能够在高电流应用中提供稳定的性能表现,适用于高功率需求的应用场景。

    - 高击穿电压:IRFU430B的漏源击穿电压(VDS)为500V,确保其在高压环境下能够稳定工作,适用于各类工业和电力电子设备。

    - 快速开关速度:IRFU430B的栅极电荷(Qg)较低,为23nC,使其具备快速的开关速度,能够在高频开关电路中有效工作。

    - 优异的热性能:IRFU430B具有较低的热阻(RθJC),为1.6°C/W,有效提高了其热管理性能,确保在高功率应用中保持稳定的温度。

    综上所述,IRFU430B凭借其出色的电气性能和多功能的应用场景,成为各类电子设备中不可或缺的重要元件。在实际应用中,IRFU430B能够通过其低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度,提升系统的整体效率和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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