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场效应MOS管IRFU230B参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFU230B是一种高效能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电源管理和控制系统中,主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):IRFU230B常用于开关电源中的功率开关部分。由于其低导通电阻和快速开关速度,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动机控制:在电动机控制电路中,IRFU230B能够作为功率驱动器件使用。它的高电流处理能力和耐高压特性使其适合驱动各种类型的电动机,包括直流电动机和步进电动机。

    3. 电池管理系统(BMS):IRFU230B在电池管理系统中常用来实现充放电控制和保护功能。其优良的导通特性和低漏电流确保了系统的可靠性和安全性。

    4. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,IRFU230B被用作主开关管。它的高效率和低损耗特性有助于提高转换器的整体性能。

    5. 负载开关:IRFU230B可以作为负载开关使用,控制各种电器设备的通断。其耐高压和大电流处理能力使其能够在各种苛刻的环境中稳定工作。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):IRFU230B的典型导通电阻为0.085Ω,这使其在导通状态下具有较低的功耗,适合高效能的功率转换应用。

    - 漏源电压(Vds):IRFU230B的最大漏源电压为200V,意味着它能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 连续漏极电流(Id):IRFU230B的连续漏极电流能力为3.7A,使其能够处理较大的电流负载,适合驱动大功率设备。

    - 栅极阈值电压(Vgs(th)):IRFU230B的栅极阈值电压为2-4V,这意味着其在较低的栅极驱动电压下即可完全导通,便于与低压控制电路接口。

    - 工作温度范围:IRFU230B的工作温度范围为-55°C至150°C,确保其在各种极端温度环境下的可靠运行。

    综上所述,IRFU230B以其卓越的性能参数和广泛的应用场景,成为电源管理和控制系统中不可或缺的重要器件。在实际应用中,通过合理的设计和选择,能够充分发挥其高效能和高可靠性的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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