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场效应MOS管IRFS830BT参数

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    IRFS830BT是一种广泛应用于电子和电气工程领域的N沟道功率MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRFS830BT被用作主开关器件。它的低导通电阻和高效能使其在高频率的开关电源中表现出色,能够有效地减少能量损耗和提高转换效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,IRFS830BT可以用来驱动直流电机或无刷电机。其高电流处理能力和快速开关速度使其适用于需要精确控制和高效能量传输的场合。

    3. 逆变器和变频器:在太阳能逆变器和变频器应用中,IRFS830BT常被用作逆变和变频器的开关元件。其高电压和电流处理能力确保了系统的稳定性和高效能量转换。

    4. 功率放大器:IRFS830BT也适用于音频功率放大器和射频功率放大器。其线性特性和高功率处理能力使其在放大器应用中提供优质的性能。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统的电池管理中,IRFS830BT用于电池充放电管理和保护电路。其高效开关特性和低损耗有助于延长电池寿命和提高系统效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):IRFS830BT的导通电阻典型值为0.75Ω,这意味着在导通状态下的电压降较低,能够减少能量损耗和发热,提高效率。

    - 高耐压能力:该器件的漏源电压(VDSS)为500V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于高压应用场景,如工业控制和电力电子设备。

    - 高电流处理能力:IRFS830BT的最大连续漏极电流为4.5A,这使其在需要处理大电流的应用中表现出色,适合用于大功率驱动和控制电路。

    - 快速开关速度:其开关速度快,典型的总栅电荷(Qg)为25nC,有助于在高频开关应用中减少开关损耗,提高系统效率。

    - 封装形式:IRFS830BT采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合在恶劣的工作环境中使用,并且便于安装和散热管理。

    通过对IRFS830BT的应用场景和参数特点的详细分析,可以看出其在各类高效能、高可靠性需求的电子设备中具有广泛的应用前景。其低导通电阻、高耐压能力、高电流处理能力以及快速开关速度使其成为功率MOSFET中的优质选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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