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场效应MOS管IRFS830B参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFS830B 是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRFS830B在开关电源中用作主开关元件,其低导通电阻和快速开关特性可以显著提高电源的效率。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,IRFS830B常用于控制直流电机的开关,由于其能够处理较高的电流和电压,能够稳定地驱动电机。

    3. 逆变器:IRFS830B适用于逆变器电路,通过将直流电转换为交流电,广泛用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中。

    4. LED驱动:在LED驱动电路中,IRFS830B可用于调节电流,确保LED稳定工作,同时减少能量损失。

    5. 电动汽车充电器:在电动汽车充电系统中,IRFS830B能有效处理高电压和大电流的转换,保证充电效率和安全性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFS830B的导通电阻非常低,典型值为1.5Ω,这使得它在开关状态下的功耗较低,效率高。

    - 高电流承载能力:IRFS830B的连续漏极电流(Id)可达4.5A,在脉冲模式下更可承载18A的电流,适合高功率应用。

    - 高电压承载能力:该器件的漏源电压(Vds)高达500V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于电源管理和逆变器等高压应用。

    - 快速开关特性:IRFS830B的开关速度快,其上升时间和下降时间分别为10ns和7ns,有助于提高电路的工作频率和效率。

    - 低栅极电荷:IRFS830B的总栅极电荷(Qg)为34nC,这使得它在驱动时所需的栅极电流较低,减少了驱动电路的复杂性和功耗。

    综上所述,IRFS830B的这些参数特点使其在高效能和高可靠性要求的应用中表现优异,不仅提升了整体系统的性能,还降低了能耗和成本。IRFS830B 在各种电源管理、电机控制、逆变器、LED驱动以及电动汽车充电器等领域都有着广泛的应用,展现出其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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