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场效应MOS管IRFS830A参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:3.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.55AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFS830A是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力转换系统中。它的高效性能和可靠的特性使其在以下几个主要应用场景中尤为常见:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,IRFS830A被用于高频开关,由于其低导通电阻和快速开关速度,使得电源转换效率更高,降低了能量损耗。

    2. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,IRFS830A作为主开关元件使用,能有效地转换不同电压等级,为电路提供稳定的电源,特别适用于电池供电设备和移动设备。

    3. 电机驱动器:IRFS830A也常用于电机驱动器中,它可以承受较大的电流和电压,使其能够驱动各种电机,广泛应用于工业自动化和消费电子产品中。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能系统中,IRFS830A被用于逆变器中,将直流电转换为交流电。其高效率和耐用性确保了太阳能系统的稳定运行。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,IRFS830A被用作输出级功率放大元件,提供高质量的音频输出,常见于高保真音响系统和专业音频设备中。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):IRFS830A的典型导通电阻仅为0.83Ω(在10V栅极驱动电压下),这意味着它在导通状态下的电能损耗很低,有助于提高整体系统的效率。

    - 高耐压:IRFS830A的最大漏源电压(VDSS)为500V,使其能够在高压应用中使用,适合于需要处理高电压的电力电子设备。

    - 大电流能力:该MOSFET的最大连续漏极电流(ID)为4.5A,能承受较大的电流,使其适用于高电流需求的应用场景。

    - 快速开关速度:IRFS830A具有快速的开关特性,典型的上升时间和下降时间分别为30ns和20ns,这使得它在高频应用中能够有效工作,减少开关损耗。

    - 热性能优越:IRFS830A具有较低的热阻(RθJC),约为1.4°C/W,能够有效散热,确保在高功率条件下的稳定运行。

    通过对IRFS830A应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出它在电子和电力转换领域具有广泛的应用前景和优异的性能特点。无论是在高效电源管理还是在高可靠性要求的电路中,IRFS830A都能发挥其独特的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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