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场效应MOS管IRFS730B参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFS730B是一种常见的功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效电源管理和开关的电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRFS730B作为开关元件,可以实现高效的能量转换和传输。由于其低导通电阻和快速的开关特性,可以显著提高电源的效率并减少能量损耗。

    2. 电动汽车:在电动汽车的驱动系统中,IRFS730B用于控制电动机的电流和电压,实现平稳的加速和制动。其高电流承载能力和低导通损耗,使其成为电动汽车功率控制模块的理想选择。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,IRFS730B被用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电。它的高效率和耐高压特性,有助于提高整个系统的能量转换效率。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,IRFS730B用于监控和控制电池的充放电过程。它的低导通电阻和高开关速度,有助于实现快速和精确的电池管理。

    5. 音频放大器:在高性能音频放大器中,IRFS730B被用于功率放大级,以提供强劲的驱动能力和低失真音质。其高效率和低热耗特性,使其能够在高功率输出时保持稳定的性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFS730B的导通电阻非常低,典型值为0.044欧姆。这意味着在电路中导通时产生的能量损耗很小,有助于提高电路的整体效率。

    - 高击穿电压:IRFS730B的最大漏源击穿电压为400伏,这使得它能够在高电压环境中安全工作,适用于需要高压操作的应用场景。

    - 大电流承载能力:IRFS730B的连续漏极电流为33安培,脉冲漏极电流可达132安培。这使得它能够处理大电流负载,适用于需要高电流驱动的应用。

    - 快速开关速度:IRFS730B的开关速度非常快,典型的开关时间在几十纳秒量级。这有助于在高速开关电路中减少开关损耗,提高电路的响应速度和效率。

    - 耐高温:IRFS730B具有良好的热性能,其最大结温可达175摄氏度。这使得它在高温工作环境中仍能保持稳定的性能,不容易发生热失效。

    综上所述,IRFS730B作为一种高性能的功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高击穿电压、大电流承载能力、快速开关速度和耐高温等特点,在开关电源、电动汽车、太阳能逆变器、电池管理系统和音频放大器等多种应用场景中得到了广泛应用。通过详细了解其参数特点,可以更好地在实际应用中发挥其优势,提升电路性能和效率。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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