收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRFS654B参数

场效应MOS管IRFS654B参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRFS654B是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):IRFS654B常用于开关电源中作为高效开关元件。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合高频操作,提高电源效率,减少功耗。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,IRFS654B被用作逆变器的开关元件。它的高电流承载能力和耐用性确保了在高负载条件下的可靠运行。

    3. 太阳能逆变器:由于其高效率和高功率处理能力,IRFS654B在太阳能逆变器中被广泛使用。它能有效处理从太阳能电池板传来的直流电,并将其转换为交流电输出。

    4. 电动汽车:IRFS654B在电动汽车的电池管理系统和电力转换系统中扮演着关键角色。其高效能和可靠性满足了电动汽车对高功率和长寿命元件的需求。

    5. 工业自动化:在工业自动化系统中,IRFS654B用于控制和驱动各种执行器和传感器。其出色的电气性能和稳定性确保了工业设备的高精度和高可靠性运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFS654B的RDS(on)仅为0.022欧姆(最大值),这意味着在导通状态下其电阻很低,从而减少了导通损耗,提高了整体电路效率。

    - 高电流处理能力:IRFS654B能够处理高达49A的连续漏极电流(在25°C环境下),这使其能够在高负载条件下稳定运行,适用于大电流应用场景。

    - 耐高压:该元件的漏极-源极击穿电压(VDSS)高达200V,确保了在高压环境下的安全和可靠运行,适用于多种高压电路设计。

    - 快速开关速度:IRFS654B具有极低的栅极电荷(Qg),仅为67nC,这使其能够在高频操作中快速切换,减少开关损耗,提升电路的开关效率。

    - 封装类型:IRFS654B采用TO-220AB封装,这种封装形式不仅有助于散热管理,还简化了电路板设计和组装,提高了设计灵活性和可靠性。

    综上所述,可以看出,IRFS654B不仅在多种应用场景中表现出色,而且其参数特点也使其成为高效、高可靠性的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号