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场效应MOS管IRFS654A参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFS654A是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效率和高性能的电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):IRFS654A常用于开关电源中,特别是在DC-DC转换器中,其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能量传输的理想选择。

    2. 电机控制:在电机控制系统中,IRFS654A可用于驱动电机,由于其高电流承载能力和耐高压特性,可以有效提高系统的可靠性和效率。

    3. 太阳能逆变器:IRFS654A在太阳能逆变器中的应用也非常普遍。其高效率和低损耗特性能够提升太阳能系统的整体性能。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,IRFS654A可用于高效的电能转换,保证在电力中断时系统的稳定运行。

    5. 电动汽车充电桩:随着电动汽车的普及,IRFS654A在充电桩中的应用越来越广泛。其高功率处理能力和耐用性使其能够满足充电桩的高要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFS654A的导通电阻仅为0.022欧姆,这意味着在导通状态下,它能够非常高效地传输电流,减少能量损耗。

    - 高电流承载能力:它的连续漏极电流可达23A,脉冲漏极电流更是高达92A。这使得IRFS654A在高电流应用中表现出色。

    - 耐高压特性:IRFS654A的漏源极间电压(Vdss)为60V,确保其在高压环境中仍能稳定运行,不易受到损坏。

    - 快速开关速度:其开关时间(包括开通和关断时间)非常短,通常在几十纳秒级别。这使得IRFS654A在高频开关电路中能够有效减少开关损耗,提高效率。

    - 低栅极电荷:IRFS654A的总栅极电荷(Qg)仅为45nC,低栅极电荷意味着更少的驱动功耗和更快的开关速度,使其在驱动电路中具有显著优势。

    综上所述,IRFS654A作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力、耐高压特性、快速开关速度和低栅极电荷,在各种需要高效率和高性能的应用中表现卓越。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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