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场效应MOS管IRFS644B参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFS644B是一款高效能的功率MOSFET,广泛应用于各种需要高开关速度和高效率的电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):IRFS644B在开关模式电源中表现出色,尤其适用于高频率、高效率的转换器。由于其低导通电阻和快速开关特性,能有效减少能量损耗,提高系统整体效率。

    2. 电机驱动:在电动汽车和工业电机控制系统中,IRFS644B用于控制电机的驱动电路。其高电流承载能力和高耐压特性确保了电机在高负荷下的稳定运行。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中,IRFS644B用于DC到AC转换。其高效能开关特性有助于提高逆变器的转换效率,从而减少热损耗和散热需求。

    4. 照明控制:IRFS644B在LED照明控制系统中也有广泛应用。其快速响应和高开关频率有助于实现更精准的亮度控制和节能效果。

    5. 消费电子:在笔记本电脑、台式机和其他消费电子产品的电源管理中,IRFS644B用于稳压和功率转换。其低导通电阻和高效开关特性能够延长电池寿命,提升设备的能源利用效率。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):IRFS644B的导通电阻极低,仅为0.022Ω,这意味着在导通状态下,其内阻极小,能有效减少功耗,提高效率。

    - 最大漏源电压(VDSS):IRFS644B的最大漏源电压为250V,使其适用于中高压应用,能够承受较高的工作电压而不易击穿。

    - 漏极电流(ID):IRFS644B的最大连续漏极电流为20A,能够处理大电流负载,适用于高功率设备。

    - 开关速度:IRFS644B具有快速开关特性,其典型的开关时间仅为几十纳秒。这使其在高频应用中能显著减少开关损耗,提高整体效率。

    - 栅极电荷(Qg):IRFS644B的总栅极电荷为67nC,这意味着其在开关过程中所需的能量较小,有助于提高开关速度和减少驱动电路的功耗。

    综上所述,IRFS644B凭借其低导通电阻、高耐压、快速开关和低栅极电荷等优异特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、照明控制和消费电子等领域,成为电源管理系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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