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场效应MOS管IRFS630A参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFS630A是一款N通道功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种需要高效率和可靠性的电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRFS630A常用于开关电源中,作为主要开关元件。其低导通电阻和高开关速度使其在高频率操作中表现出色,提高了电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,IRFS630A被用作驱动电路的核心元件。它的高电流处理能力和稳健的热性能确保了电机驱动系统的稳定性和可靠性。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,IRFS630A被用来控制电池的充放电过程,其高效率和高可靠性确保了UPS在电力中断时能够稳定地供电。

    4. 光伏逆变器:在太阳能光伏逆变器中,IRFS630A用于将直流电转换为交流电。其高效能和耐用性使其成为此类应用的理想选择。

    5. 工业控制系统:在各种工业自动化和控制系统中,IRFS630A由于其高可靠性和长寿命,被广泛用于控制和保护电路中。

    二、参数特点:

    - 最大漏极电流(ID):IRFS630A的最大连续漏极电流为9.2A。这使得它在处理大电流时依然能够保持良好的性能,适用于高功率应用。

    - 漏极-源极电压(VDSS):该器件的最大漏极-源极电压为200V,这使其适用于需要高电压工作的电路中,如开关电源和电机驱动。

    - 导通电阻(RDS(on)):在10V栅极驱动电压下,IRFS630A的典型导通电阻为0.8Ω。低导通电阻意味着在导通状态下的功耗较低,提高了整体电路的效率。

    - 栅极电荷(Qg):IRFS630A的典型栅极电荷为65nC,这使其能够快速开关,适合高频应用。

    - 热性能:IRFS630A的结-壳热阻(RθJC)为1.4°C/W。这意味着该器件在高功率操作中具有良好的散热性能,能够在苛刻的环境下稳定运行。

    综上所述,IRFS630A作为一款高性能的N通道功率MOSFET,以其卓越的电气参数和广泛的应用场景,成为各类高效能电子电路中的重要元件。在选择和应用此型号时,需根据具体电路要求,充分考虑其参数特点和应用优势,以实现最佳的电路性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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