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场效应MOS管IRFR5410参数

PD最大耗散功率:66WID最大漏源电流:-13AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.205ΩVRDS(ON)ld通态电流:-7.8AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    IRFR5410是一款N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和一系列特点。下面我将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRFR5410可用作主要的功率开关器件,用于控制输出电压和电流,提高整体效率和可靠性。

    2. 电机驱动:IRFR5410可用于控制电机的启停和速度调节,实现精准的电机控制。

    3. 电源逆变器:IRFR5410可以用作逆变器的关键组件,将直流电能转换为交流电能,用于太阳能逆变器、UPS等。

    4. 照明系统:IRFR5410可用于控制LED的亮度和色温,提供稳定可靠的照明效果。

    5. 电动汽车充电桩:IRFR5410可用于控制充电过程中的功率输出和保护功能,确保充电过程安全可靠。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:IRFR5410具有较低的导通电阻,能够降低功率开关过程中的能量损耗,提高效率。

    2. 高耐压能力:IRFR5410具有较高的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    3. 快速开关特性:IRFR5410具有快速的开关特性,能够实现快速的开关过程,提高系统的响应速度和稳定性。

    4. 低门极电荷:IRFR5410的门极电荷较低,能够减小开关过程中的功率损耗,提高系统的效率和可靠性。

    5. 可靠的温度特性:IRFR5410具有良好的温度特性,能够在不同温度下保持稳定的性能,适用于各种工作环境。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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