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场效应MOS管IRFR420A参数

PD最大耗散功率:8WID最大漏源电流:3.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR420A是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下是IRFR420A的应用场景和参数特点的详细说明。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRFR420A常用于高频开关控制电路。其低导通电阻和高开关速度使其成为电源转换中的理想选择,能够有效减少能量损耗,提高转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,IRFR420A被用作功率开关器件。其出色的开关性能和高电流承载能力能够有效控制电机的启动和停止,提高电机运行的稳定性和效率。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,IRFR420A因其耐高压和高效开关特性被广泛使用,能够在转换过程中提供稳定的电力输出,确保设备的持续稳定运行。

    4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,IRFR420A用于电池保护电路,帮助监控和管理电池的充放电过程,避免过充或过放,延长电池寿命。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRFR420A被用于电子控制单元(ECU)中的各类功率控制电路。其高可靠性和高效能使其在汽车领域获得广泛应用,确保车辆电子系统的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFR420A具有极低的导通电阻(R_DS(on)),通常在5.3mΩ左右。这意味着在导通状态下,电流通过器件时产生的功率损耗非常小,有助于提高电路的整体效率。

    - 高耐压能力:IRFR420A的漏源极电压(V_DS)最大可达100V,这使得它可以在高压环境中稳定工作,适用于各类高压应用场景。

    - 高开关速度:IRFR420A具有快速开关特性,开关时间通常在几十纳秒级别。这种特性使其在高频应用中表现出色,能够快速响应电路的开关需求,减少延迟,提高系统的反应速度。

    - 高电流承载能力:IRFR420A的连续漏极电流(I_D)可达57A,这使得它能够承载大电流,适用于大功率应用场景,确保电路在高电流条件下稳定运行。

    - 出色的热性能:IRFR420A具有较低的热阻(R_thJC),通常在1.0°C/W左右。这使得器件在高功率工作条件下能够有效散热,防止过热,确保长期稳定运行。

    通过以上对IRFR420A应用场景和参数特点的详细说明,可以看出,IRFR420A作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,在各种电子电路中都展现出了其独特的优势和广泛的应用潜力。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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