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场效应MOS管IRFR3505参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:71AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.013ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR3505是一种N沟道场效应晶体管(MOSFET),通常用于功率放大和开关电路。它具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种应用场景。

    一、应用场景:

    1. 通信设备: IRFR3505 可用于功率放大器电路,用于提高通信信号的传输效率和质量。

    2. 电源系统:在开关电源中,IRFR3505 可以作为开关管,控制电源的开关状态,提高电源系统的效率和稳定性。

    3. 电机驱动:IRFR3505 的高电流承受能力和低导通电阻使其成为驱动大功率电机的理想选择,提高电机系统的性能。

    4. 音频放大器:在音频放大器电路中,IRFR3505 的快速开关特性和低导通电阻有助于提高音频信号的放大效果。

    5. 射频功率放大器:IRFR3505 可以用于设计高性能的射频功率放大器,实现对射频信号的稳定放大。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:IRFR3505 的导通电阻通常在几个毫欧姆至几十个毫欧姆之间,能够降低功率损耗。

    2. 高耐压能力:IRFR3505 的耐压能力通常在几十伏至数百伏之间,适应各种电路的需求。

    3. 快速开关:IRFR3505 具有快速的开关速度,有助于减少开关过程中的功率损耗,提高系统的响应速度。

    4. 高频响应:在射频和音频应用中,IRFR3505 能够提供稳定且高效的功率放大,满足高频信号处理的需求。

    5. 可靠性:IRFR3505 经过严格的质量控制和测试,具有稳定可靠的性能,适用于长期稳定运行的电子设备。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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