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场效应MOS管IRFR310BTF参数

PD最大耗散功率:26WID最大漏源电流:1.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:3.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.85AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR310BTF是一款N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子电路中。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:IRFR310BTF常用于开关电源和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高开关速度使其非常适合高效能量转换,能够减少能量损耗,提高整体系统的效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,IRFR310BTF可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压特性和大电流承载能力保证了电机运行的稳定性和可靠性。

    3. LED驱动:LED驱动电路需要稳定的电流源来保证LED的亮度和寿命。IRFR310BTF凭借其出色的电流控制能力和低导通电阻,能够为LED驱动提供高效稳定的电流输出。

    4. 音频放大器:在音频放大器电路中,IRFR310BTF可用于功率放大部分。其高输入阻抗和低输出阻抗特性,能够提供高质量的音频放大效果,减少失真。

    5. 保护电路:IRFR310BTF也可以应用于过流保护电路中。当检测到过大电流时,通过快速切换来保护电路中的其他元件不受损坏。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):IRFR310BTF的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,其损耗较小,有助于提高电路的效率。例如,其典型导通电阻为0.029Ω(在VGS=10V时)。

    - 高耐压:该器件具有100V的漏源击穿电压(VDS),能够承受较高的电压应力,适用于高压应用场景。

    - 大电流能力:IRFR310BTF的最大连续漏极电流(ID)为57A(在25℃时),能够处理大电流应用,确保电路的稳定运行。

    - 快速开关速度:其开关速度快,能够在短时间内完成导通和关断过程,这对于高频应用非常重要。其典型的开关时间(ton和toff)分别为18ns和67ns。

    - 热阻低:IRFR310BTF具有较低的结到外壳热阻(RθJC),为1.5℃/W,能够有效散热,减少温升,提高器件的可靠性和寿命。

    综上所述,IRFR310BTF凭借其优越的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、LED驱动、音频放大器和保护电路等领域。其低导通电阻、高耐压、大电流能力、快速开关速度和低热阻等参数特点,使其在各种高效、高可靠性的应用场景中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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