收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRFR2607Z参数

场效应MOS管IRFR2607Z参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

立即咨询


    IRFR2607Z是一个常用的功率MOSFET(场效应管),在各类电子电路和电源管理系统中有着广泛的应用。本文将详细介绍IRFR2607Z的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:IRFR2607Z常用于DC-DC转换器和AC-DC转换器中。其低导通电阻和高开关速度使其能够有效地管理和转换电能,提高系统的效率和性能。

    2. 电机驱动器:在电机控制系统中,IRFR2607Z被用作开关元件。其高电流处理能力和快速响应时间使其能够有效地控制电机的启动和停止,提高系统的响应速度和精确度。

    3. 负载开关:IRFR2607Z适用于各种电子设备的负载开关应用,如电池管理系统(BMS)、便携式电子设备和工业控制系统。其高耐压和低导通电阻确保了可靠的负载切换性能。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,IRFR2607Z用作逆变器的开关元件,帮助将直流电转换为交流电。其高效能和稳定性使其成为太阳能逆变器中的理想选择。

    5. 汽车电子:IRFR2607Z在汽车电子系统中也有广泛应用,如电动助力转向(EPS)、电动窗和座椅调节等。其高可靠性和耐用性满足了汽车电子系统的严格要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFR2607Z的导通电阻(RDS(on))非常低,仅为0.022Ω(最大值),这意味着在导通状态下损耗很低,有助于提高整个电路的效率和减少发热。

    - 高电流处理能力:IRFR2607Z能够处理高达75A的连续漏极电流(ID),这使其在高电流应用中表现出色,如电机驱动和大功率电源转换器。

    - 高击穿电压:该MOSFET具有100V的漏源击穿电压(VDS),确保其能够在高压环境下稳定运行,适用于各种工业和汽车电子应用。

    - 快速开关速度:IRFR2607Z的开关时间非常短,典型值为24ns(上升时间)和120ns(下降时间),这使其在高速开关应用中表现出色,有助于提高系统的响应速度和效率。

    - 可靠性和耐用性:IRFR2607Z采用先进的制造工艺,具有高可靠性和长寿命。在各种恶劣的工作环境中,它都能稳定工作,满足工业和汽车领域的严格要求。

    综上所述,IRFR2607Z凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为了功率MOSFET中的佼佼者。无论是在电源管理、电机控制还是汽车电子系统中,它都能够提供可靠、高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号