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场效应MOS管IRFR224B参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:3.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR224B是一款广泛应用于各类电子设备中的N沟道功率MOSFET晶体管。本文将详细介绍IRFR224B的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源、DC-DC转换器中,IRFR224B常用于高效能的功率转换和调节。它的低导通电阻和高电流处理能力使其在这些应用中表现出色,能够有效减少能量损耗,提高整体系统效率。

    2. 电机驱动:在各种电机控制电路中,IRFR224B作为驱动元件,能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节。其高开关速度和低导通电阻使其成为驱动电机的理想选择。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRFR224B用于控制各种电气设备,如车灯、空调、音响系统等。它的耐高温和高电流能力,使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。

    4. 工业控制:在PLC、工业机器人等工业控制系统中,IRFR224B用于高频率、高功率的开关操作,确保系统的高效和可靠运行。

    5. 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,IRFR224B用于电源管理和热管理,确保设备的长时间稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFR224B的导通电阻极低,典型值为0.055欧姆,这意味着在通过大电流时产生的功耗较低,从而提高了整个电路的效率。

    - 高电流能力:IRFR224B能够处理高达16A的连续电流,具有较强的电流处理能力,适用于高功率应用。

    - 高压特性:IRFR224B的击穿电压高达200V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适合需要高耐压的应用场景。

    - 高开关速度:IRFR224B的开关速度快,能够实现高频率的开关操作,这在电源管理和电机驱动应用中尤为重要。

    - 耐高温:IRFR224B的工作结温范围为-55°C至175°C,具有良好的热稳定性,能够在恶劣的环境下稳定运行。

    通过上述对IRFR224B应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出它在各个领域中的广泛应用和优异性能。无论是在电源管理、电机驱动还是汽车电子等领域,IRFR224B都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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