收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRFR220TF参数

场效应MOS管IRFR220TF参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:4.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRFR220TF是一款常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:IRFR220TF在开关电源、DC-DC转换器等电源管理电路中具有广泛应用。由于其低导通电阻和高开关速度,可以有效降低功率损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,IRFR220TF常用于驱动电机和控制电流。其高电流承载能力和低导通电阻特性,使其能够在高电流环境下稳定工作。

    3. 照明控制:LED驱动电路中,IRFR220TF能够有效控制电流,提供稳定的电流源,保证LED的亮度和寿命。

    4. 电池管理系统:在锂电池保护电路中,IRFR220TF用于控制充放电电流,保护电池免受过充过放的损害。

    5. 音频放大器:IRFR220TF在音频放大器电路中,用于放大音频信号,提供高质量的音频输出。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on):IRFR220TF的导通电阻仅为0.03欧姆(典型值),这意味着在导通状态下,其损耗非常低,可以显著提高系统效率。

    - 高电流承载能力:其最大连续漏极电流(Id)为42安培,使其能够在高电流环境中可靠工作,不易过热。

    - 高耐压能力:IRFR220TF的漏源极最大耐压(Vdss)为100伏,适用于中高压应用场合,确保在高电压环境下稳定运行。

    - 快速开关速度:其典型开关时间非常短,这有助于提高开关电源和其它快速开关应用的效率,减少开关损耗。

    - 高结温能力:IRFR220TF的最大结温高达175摄氏度,这使其能够在高温环境下稳定工作,扩大了其应用范围。

    通过以上分析可以看出,IRFR220TF凭借其优异的性能特点和广泛的应用场景,成为电子设备设计中不可或缺的元件。无论是在电源管理、电机驱动,还是在电池管理和音频放大器中,IRFR220TF都展示了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号