收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRFR220N参数

场效应MOS管IRFR220N参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRFR220N是一种N沟道场效应管(MOSFET),具有广泛的应用场景和一些特定的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:IRFR220N可用作低压、高效率的开关管,适用于各种电源管理应用,如DC-DC变换器和开关稳压器。

    2. 电机驱动:在电机驱动系统中,IRFR220N可用作电机控制的开关装置,帮助实现高效率和精确控制。

    3. 照明应用:由于其低导通电阻和高频特性,IRFR220N常用于LED驱动和其他照明应用,提供高效的电力管理。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRFR220N可用于各种应用,如电池管理、点火系统和电动汽车控制。

    5. 工业自动化:在工业控制和自动化领域,IRFR220N可用于各种开关和调节电路,提供可靠的性能和稳定性。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:IRFR220N具有较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。

    2. 高开关速度:由于其MOSFET结构,IRFR220N具有快速的开关速度,适用于高频应用。

    3. 低门控电荷:门控电荷较低,使得IRFR220N在驱动电路中具有更快的响应速度和更低的功耗。

    4. 低漏电流:IRFR220N具有低漏电流特性,有助于提高系统的稳定性和长期可靠性。

    5. 高耐压能力:该型号具有较高的耐压能力,能够在较高的电压下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    综上所述,IRFR220N在多个领域都发挥着重要作用,为电子系统的性能提升和功耗优化提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号