收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRFR214BTF参数

场效应MOS管IRFR214BTF参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRFR214BTF是一款广泛应用于电源管理和高效能转换系统的N沟道功率MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,IRFR214BTF用于高频开关转换器,能够提供高效的能量转换和低损耗。这使其成为电源适配器和LED驱动器等设备的理想选择。

    2. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,IRFR214BTF可以用于电池管理系统的充放电控制。其低导通电阻和高电流处理能力保证了电池的高效充电和放电。

    3. 电机驱动:在工业和消费类电子产品中,IRFR214BTF用于驱动直流电机。其快速开关速度和低开关损耗使其在电机控制应用中表现出色。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,IRFR214BTF用于逆变器电路,实现直流电到交流电的高效转换。其高效能和可靠性是太阳能系统稳定运行的关键。

    5. 负载开关:在各种电子设备中,IRFR214BTF可以用作负载开关,控制大功率负载的通断,提供高可靠性的负载控制解决方案。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):IRFR214BTF的典型导通电阻为0.055Ω,这意味着在同等条件下,它可以提供较低的能量损耗,提升系统的整体效率。

    - 高额定电流:IRFR214BTF的连续漏极电流额定值为12A,脉冲漏极电流可达48A。这使得它能够处理高电流负载,适用于高功率应用。

    - 快速开关速度:IRFR214BTF具有极快的开关速度,这在高频应用中尤为重要。快速开关速度能够减少开关损耗,提高转换效率。

    - 耐高压:IRFR214BTF的漏源极电压(VDS)额定值为100V,使其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于更广泛的应用领域。

    - 热特性优越:IRFR214BTF具有良好的热管理特性,其结-环境热阻(RθJA)为62°C/W,结-壳热阻(RθJC)为3°C/W。这些参数确保了在高功率和高温条件下的可靠运行。

    综上所述,IRFR214BTF凭借其优越的参数特点和广泛的应用场景,成为电源管理、能源转换和高效驱动系统中的重要元器件。在未来的电子设计中,IRFR214BTF将继续发挥其重要作用,为各类应用提供高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号