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场效应MOS管IRFR110A参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:4.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR110A是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,特别是在以下几个领域中表现突出。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:IRFR110A常用于开关电源、直流-直流转换器和逆变器中。它的低导通电阻和快速开关速度使其成为高效能量转换的理想选择,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,IRFR110A表现出色。它能够快速响应控制信号,精确控制电机的启动、停止和转速变化,广泛应用于家电、工业自动化设备和电动工具等领域。

    3. 音频放大器:在音频放大电路中,IRFR110A凭借其高开关速度和低噪声特性,能够提供清晰、无失真的音频信号放大效果,适用于高保真音频系统和专业音响设备。

    4. LED照明:IRFR110A在LED驱动电路中也得到了广泛应用。它的高效开关特性和稳定性确保LED灯具的亮度和寿命,适用于各类室内外照明、显示屏和背光源应用。

    5. 电池管理:在电池管理系统中,IRFR110A用于电池充电和放电控制。它的低导通电阻和高电流处理能力确保电池的安全和高效使用,广泛应用于电动汽车、便携式电子设备和储能系统。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):IRFR110A的导通电阻非常低,典型值为0.075欧姆。这意味着在导通状态下,它的功率损耗很小,有助于提高整个电路的效率。

    2. 高击穿电压(VDSS):IRFR110A的击穿电压高达100V,能够在较高电压环境下稳定工作,适用于各种需要高电压操作的应用场景。

    3. 高开关速度:IRFR110A具有快速的开关特性,开关时间通常在纳秒级别。这使其在高频开关电路中表现出色,能够有效减少开关损耗和EMI干扰。

    4. 高峰值电流处理能力:IRFR110A能够处理高达48A的峰值电流,适用于需要处理大电流的应用,如电机驱动和电池管理系统。

    5. 耐高温特性:IRFR110A的工作结温范围广,从-55℃到150℃,能够在恶劣的环境条件下稳定工作,确保系统的可靠性和耐用性。

    综上所述,IRFR110A凭借其低导通电阻、高击穿电压、高开关速度、高峰值电流处理能力和耐高温特性,成为各类电子应用中不可或缺的重要元件。在选择适合的功率MOSFET时,IRFR110A无疑是一个值得考虑的优质选项。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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