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场效应MOS管IRFR024TF参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR024TF是一款广泛应用于电力电子领域的N沟道功率MOSFET,具有许多突出的应用场景和参数特点。以下将详细描述其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:IRFR024TF在电源管理系统中应用广泛,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高效的开关性能使其在这些高频应用中表现出色。通过使用IRFR024TF,可以显著降低系统的功耗,提高整体的能效。

    2. 电机控制:在电机控制应用中,IRFR024TF由于其快速开关速度和低导通损耗,成为理想选择。它能够高效地驱动各种电机,如步进电机和无刷直流电机,提供更精确和高效的控制。

    3. 汽车电子:IRFR024TF也广泛应用于汽车电子系统,如车灯控制、电子转向和电动窗控制等。其耐高温特性和可靠的性能使其能够在汽车严苛的工作环境中稳定运行。

    4. 消费电子:在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和便携式充电器,IRFR024TF被用于电池管理和功率转换电路。其小型封装和高效性能适合这些紧凑型电子设备的需求。

    5. 工业控制:IRFR024TF在工业控制系统中同样有广泛的应用,特别是在PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备中。其高可靠性和耐久性能够满足工业环境的严格要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFR024TF的导通电阻非常低,仅为0.070Ω(典型值),这使其在导通状态下的功耗大大降低,提高了整体效率。

    - 高电流处理能力:该器件能够处理高达18A的连续漏极电流,使其适用于高电流需求的应用场景。

    - 高压耐受能力:IRFR024TF的最大漏源电压为55V,能够承受较高的电压,适用于各种电压要求较高的应用。

    - 快速开关速度:该MOSFET具有非常快的开关速度,开关时间仅为几十纳秒,使其适用于高频应用。

    - 热性能优异:IRFR024TF具有良好的热性能,最大结温可达到175°C,能够在高温环境中稳定工作。

    综上所述,IRFR024TF作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和出色的参数特点。其低导通电阻、高电流处理能力、高压耐受能力、快速开关速度以及优异的热性能,使其在电源管理、电机控制、汽车电子、消费电子和工业控制等领域中表现出色。无论是用于高频开关电源,还是精确的电机控制,IRFR024TF都能提供可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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