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场效应MOS管IRFR024N参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.075ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR024N是一款常见的场效应晶体管(MOSFET)型号,广泛应用于各种电子电路中。以下是IRFR024N的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 功率放大器:IRFR024N因其较低的导通电阻和高频特性而适用于功率放大器电路。在音频放大器、功率放大器等设备中,IRFR024N可用于控制功率放大的过程,提供所需的放大效果。

    2. 开关电路:由于IRFR024N具有较高的开关速度和低导通电阻,因此在开关电源、DC-DC转换器等电路中有着广泛的应用。其快速的开关特性使得在开关电路中可以实现高效能的电源控制。

    3. 电源管理:IRFR024N常用于电源管理系统中,如直流稳压器、开关模式电源等。它能够在低电压下工作,并且具有较高的电流承载能力,因此在电源管理中起到了重要作用。

    4. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,IRFR024N可以用于驱动电机、控制灯光等应用。其高效能、低导通电阻以及稳定性能使其成为汽车电子系统中的重要组成部分。

    5. 工业控制:IRFR024N也被广泛应用于工业控制领域,如机器人控制、自动化设备等。其可靠性和稳定性使得其在工业环境中能够长时间稳定工作。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:IRFR024N具有较低的导通电阻,能够在导通状态下减少功率损耗,提高效率。

    2. 高开关速度:IRFR024N具有较高的开关速度,能够快速地从导通到截止状态转换,提高了开关电路的响应速度。

    3. 低阈值电压:IRFR024N的阈值电压较低,使得它可以在较低的控制电压下实现开关操作,提高了系统的灵活性。

    4. 高耐压能力:IRFR024N能够承受较高的漏极-源极电压,适用于各种不同电压等级的电路设计。

    5. 温度稳定性好:IRFR024N具有良好的温度稳定性,即使在高温环境下也能够保持稳定的性能,适用于各种工作环境。

    综上所述,IRFR024N作为一款性能稳定、应用广泛的MOSFET型号,在各种电子电路中都有着重要的作用,特别是在功率放大、开关电路、电源管理等领域具有突出的性能优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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