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场效应MOS管IRFR010参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:8.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:50VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFR010是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路和电源管理系统。它具有出色的开关性能和低导通电阻,能够在高效能和可靠性方面满足多种应用需求。以下是IRFR010的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:IRFR010常用于电源管理系统中,如直流-直流转换器、逆变器和电压调节器。它在这些系统中负责开关操作,能够提供高效的电能转换和稳定的输出电压。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,IRFR010能够控制电机的启动、停止和速度调节。它的高效开关性能和低导通电阻使其能够减少能量损耗,提高整体系统的效率。

    3. 照明控制:IRFR010也被广泛应用于照明控制电路中,特别是在LED照明系统中。它能够调节LED的亮度并提供过电流保护,确保照明系统的稳定和可靠运行。

    4. 工业自动化:工业自动化设备中经常使用IRFR010来控制各种执行器和传感器。它的高可靠性和快速响应能力使其适合在复杂的工业环境中运行。

    5. 消费电子:IRFR010在消费电子产品中也有广泛应用,如智能手机、笔记本电脑和可穿戴设备。它在这些设备中负责电源管理和热量控制,确保设备的长时间稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRFR010的导通电阻非常低,典型值约为0.18欧姆。这意味着在导通状态下它的能量损耗较小,能够提高系统的效率并减少发热。

    - 高电流处理能力:IRFR010可以处理高达4.2安培的连续电流,适合用于需要大电流传输的应用场景,如电机驱动和电源管理系统。

    - 高击穿电压:该型号的MOSFET具有较高的击穿电压,最高可达100伏。这使得IRFR010能够在高压应用中稳定工作,减少了设计中对额外保护电路的需求。

    - 快速开关速度:IRFR010的开关速度非常快,能够在纳秒级别进行切换。这对于高频率开关应用,如开关电源和脉冲电路,尤为重要。

    - 热性能:IRFR010具备良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行。其结温最高可达175摄氏度,适合用于高温工况下的电子设备。

    综上所述,IRFR010是一款性能优越、应用广泛的N沟道增强型功率MOSFET。其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和良好的热性能使其在电源管理、电机驱动、照明控制、工业自动化和消费电子等领域得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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