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场效应MOS管IRFP460C参数

PD最大耗散功率:235WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.24ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRFP460C是一种高功率场效应晶体管(MOSFET),其主要应用场景包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 逆变器:在太阳能发电和风力发电等新能源领域,IRFP460C经常用于逆变器中。这些逆变器需要高效的开关元件来将直流电转换为交流电,IRFP460C凭借其出色的开关性能和高电流承载能力,成为理想选择。

    2. 电动机驱动:在工业和电动汽车中,电动机驱动系统需要可靠的功率半导体来控制电动机的运转。IRFP460C具备高电流和高电压处理能力,非常适合在这些应用中使用,能够确保电动机的高效运行。

    3. 电源供应器:在开关电源和不间断电源(UPS)中,IRFP460C被广泛用于功率因数校正(PFC)和主功率开关电路。其低导通电阻和高开关速度有助于提高电源效率,降低能耗。

    4. 焊接设备:在各种工业焊接设备中,IRFP460C经常用于高频逆变焊机。其高耐压和高电流特性确保了焊接过程的稳定性和可靠性。

    5. 音频放大器:高功率音频放大器需要能够处理大电流和高电压的功率器件,IRFP460C凭借其卓越的性能和稳定性,成为音频工程师们的常用选择。

    二、参数特点:

    - 高电流承载能力:IRFP460C的最大连续漏极电流(I_D)为20A,能够处理大电流需求的应用,例如工业电动机驱动和逆变器等。

    - 高耐压能力:该器件的漏源极电压(V_DS)高达500V,使其在高压应用中具有出色的性能和可靠性,例如电源供应器和焊接设备。

    - 低导通电阻:IRFP460C的导通电阻(R_DS(on))仅为0.27Ω,这意味着在导通状态下,电能损耗较低,提高了整体系统的效率。

    - 快速开关速度:该MOSFET的总栅电荷(Q_g)为180nC,保证了其在高频应用中的快速开关性能,适用于逆变器和PFC电路等需要高开关速度的场合。

    - 坚固耐用:IRFP460C具备良好的热稳定性和可靠的封装设计,能够在恶劣的环境中长期稳定工作,适合工业和户外应用。

    综上所述,IRFP460C通过其卓越的电流、电压处理能力和高效能,被广泛应用于各种高功率电子设备中,其优越的参数特点使其在电力电子领域占据重要位置。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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