收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRFB18N50K参数

场效应MOS管IRFB18N50K参数

PD最大耗散功率:220WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.29ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRFB18N50K是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电源管理和开关应用。由于其高电压和大电流的处理能力,此型号特别适用于高压直流电源系统、逆变器、以及电力转换系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 高压直流电源系统和逆变器:IRFB18N50K在这些系统中优化电能转换效率,确保能量高效传输。

    2. 电动车充电站:在电动车充电站设计中,IRFB18N50K管理大规模电能的高效转换和控制。

    二、参数特点:

    1. 耐压能力:可承受高达500V的耐压,适合高压应用。

    2. 导通阻抗:具有0.29欧姆的低导通阻抗,减少功率损耗,提高能效。

    3. 最大连续电流:在25°C下提供18A的连续电流,支持大电流设备。

    4. 高速开关:优良的开关速度特性,提升逆变器和电源供应器效率。

    5. 封装:采用TO-220封装,有利于热管理和集成。

    综上所述,IRFB18N50K由于其出色的电气性能和适用于高压、高电流环境的特性,使其成为电力转换和管理应用中的优选。其技术参数的优势也确保了在复杂电子系统中能够提供稳定、高效的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号