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场效应MOS管IRF840B参数

PD最大耗散功率:134WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF840B是一种N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子设备中,特别是在高电压、高速开关应用中表现出色。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF840B因其能够承受高电压和较大的电流,常用于开关电源的主开关元件。它能有效地转换和调节电源,确保电源设备稳定运行。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,IRF840B可用于驱动高功率电机。其快速开关特性使其能在电机调速和方向控制中实现高效率和响应速度。

    3. 逆变器应用:在太阳能逆变器和汽车逆变器中,IRF840B扮演着关键角色,用于将直流电转换为交流电,提供稳定和高效的电能转换。

    4. 灯具控制:在大功率LED照明和其他类型灯具的电路设计中,IRF840B常用于调节和控制灯具的亮度和开关。

    5. 高频应用:由于其优良的高频响应特性,IRF840B也适用于高频放大器和射频应用,如无线通信的信号放大。

    二、参数特点:

    - 耐压能力: IRF840B的漏源极最大耐压为500V,非常适合于需要高电压的应用环境。

    - 电流承载能力:此型号的MOSFET可以提供最大8A的连续漏电流,足以满足大多数中等负载的电流需求。

    - 开关速度:IRF840B具有较快的开关速度,这使得它在需要快速开关的应用中非常有优势,比如开关电源和逆变器。

    - 导通阻抗:在典型的10V栅极驱动电压下,其导通阻抗大约为0.85欧姆,保证了较低的功耗和热损失。

    - 封装类型:采用TO-220封装,便于散热和安装,同时也适用于通过散热器进一步提高散热效能。

    综上所述,IRF840B是一款多功能且性能优良的MOSFET,适用于广泛的电子设备和电力应用,其设计和参数配置确保了高效率和稳定性。它是那些需要高耐压和高性能开关设备的设计师的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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