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场效应MOS管IRF654A参数

PD最大耗散功率:156WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF654A是一种功率MOSFET,广泛应用于各种高压和大电流的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF654A因其优异的开关特性和高效率,常用于各种开关电源的设计中,包括电脑电源、服务器电源以及通信设备电源。

    2. 电动车辆:在电动车辆的驱动系统中,IRF654A可用于驱动电机,控制电机的启动、停止和速度调节,确保电动车辆的平稳运行和高能效。

    3. 可再生能源系统:在太阳能逆变器和风能发电系统中,IRF654A用于高效转换能源,将太阳能或风能转换为可用的电能。

    4. 电子负载和电池管理:IRF654A在电池管理系统中用于控制电池的充电和放电过程,优化电池性能和延长电池寿命。

    二、参数特点:

    - 最大耐压:IRF654A的漏源极最大耐压达到250V,适用于中高压应用环境。

    - 导通电阻:具有较低的导通电阻(Rds(on)),在10V门极驱动下约为0.075欧姆,这有助于减少导通期间的能耗和发热。

    - 最大连续漏电流:可以承受最大55A的连续漏电流,适合于需要大电流驱动的应用。

    - 开关速度:IRF654A具有较快的开关速度,这有助于提高整个电路的响应速度和效率。

    - 封装类型:通常采用TO-220AB封装,适合于标准的散热和装配要求。

    综上所述,IRF654A的这些参数特点使其成为处理高压和大电流应用中不可或缺的元件,其可靠性和效率在工业和消费电子产品中都得到了广泛的应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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