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场效应MOS管IRF650A参数

PD最大耗散功率:156WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.085ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF650A是一种功率MOSFET场效应晶体管,广泛应用于各种电源管理和功率放大电路中。以下将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:IRF650A可用作开关电源中的开关管,控制电源的开关状态,实现高效率的能量转换。

    2. 直流-直流变换器:在DC-DC变换器中,IRF650A可以作为功率开关,调节输入和输出之间的电压,用于各种电子设备和系统中。

    3. 电机驱动:IRF650A可用于电机驱动电路中,控制电机的启动、停止和转速,广泛应用于工业自动化和家用电器领域。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,IRF650A可用于将直流电源转换为交流电源,用于太阳能发电系统、UPS和电动车等领域。

    5. 电源放大器:IRF650A还可以用作功率放大器的关键组件,增强音频信号的功率输出,用于音响系统和汽车音响等场合。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):IRF650A具有低导通电阻,能够降低开关管的功耗,提高系统的效率。

    2. 高耐压能力(VDS):IRF650A能够承受较高的漏极-源极电压,适用于各种高压应用环境。

    3. 快速开关速度:IRF650A具有快速的开关特性,有助于减小开关过程中的功率损耗,提高系统的响应速度。

    4. 优良的温度特性:IRF650A在不同温度下仍能保持稳定的性能,适用于各种工作环境和温度条件。

    5. 可靠性高:IRF650A采用优质材料和先进工艺制造,具有良好的可靠性和长寿命,适用于长时间稳定工作的要求。

    综上所述,IRF650A作为一款功率MOSFET场效应晶体管,在各种电源管理和功率控制应用中都有广泛的应用前景,其低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度、优良的温度特性和高可靠性等特点,使其成为电子系统设计中不可或缺的重要组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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