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场效应MOS管IRF646参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:275VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF646是一种功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF646在开关电源的主开关元件中常见,如电脑电源、电视机电源和其他消费电子产品的电源转换中,能够高效地进行电能转换。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,IRF646处理高达200V的电压和18A的电流,适用于小型到中型电机的驱动应用。

    3. 逆变器和变频器:逆变器和变频器中,IRF646需要高效率和可靠性的MOSFET来转换和调节电力,表现出良好的性能。

    4. 车辆应用:在汽车电子中,如电动汽车的充电系统和能量管理系统中,IRF646控制高电压和大电流,确保系统稳定。

    二、参数特点:

    - 最大耐压(200V):IRF646能在高达200V的电压下安全工作,适用于许多高电压应用场景。

    - 最大连续漏源电流(18A):在25°C时,IRF646的最大连续电流可以达到18A,提供强大的电流驱动能力。

    - 栅源阈值电压(2.0V至4.0V):IRF646的栅源阈值电压范围有助于在较低的门控电压下启动或关闭晶体管。

    - 功率耗散(74W):IRF646的功率耗散能力高达74W,允许在较高的工作温度下稳定工作。

    - 输入电容(850pF):具有较高的输入电容,IRF646提供了较好的输出负载能力,影响开关速度。

    综上所述,IRF646由于其强大的电压和电流处理能力,以及良好的热性能,使其在电力电子领域得到了广泛的应用。其结构的稳定性和电气特性使得IRF646成为设计高性能电子系统时的可靠选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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