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场效应MOS管IRF644B参数

PD最大耗散功率:139WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF644B是一款由国际整流器公司(International Rectifier)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于高效率开关和放大器场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF644B由于其优良的开关特性和高速响应能力,非常适合用于各种开关电源系统中,包括电脑供电器、服务器电源及其他电子设备的电源模块。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,IRF644B可以用作驱动电机的主开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流和高压能力使其可以轻松处理大功率电机。

    3. 逆变器应用:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRF644B用于将直流电转换为交流电,其快速开关能力有助于提高逆变器的效率和性能。

    4. 车载电子:由于其能够在较高温度下稳定工作的能力,IRF644B也常用于汽车电子系统中,如汽车的电动控制系统和其他高功率应用。

    二、参数特点:

    - 电压与电流特性:IRF644B的漏源极电压(V_DS)最高可达250伏,持续漏电流(I_D)为14安培,这使其能够处理较高的电压和电流,适用于多种高压应用场合。

    - RDS(on):在10伏栅极电压下,IRF644B的导通电阻(R_DS(on))为0.18欧姆,较低的导通电阻有助于减少在开关过程中的能量损失,提高整体效率。

    - 开关速度:这款MOSFET的开关速度非常快,可提供高效的开关操作,减少开关时的能耗,并提高应用系统的响应速度。

    - 最大功率耗散:IRF644B的最大功率耗散为125瓦特,表明其能在较高功率下稳定工作,适用于要求高功率输出的电子设备。

    - 封装和耐热性:它采用TO-220封装,这种封装不仅便于安装,而且有利于散热,IRF644B能够在高达175摄氏度的环境中稳定运作,适用于高温环境。

    综上所述,IRF644B以其卓越的电气性能和应用灵活性,在许多高要求的电子系统中发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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