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场效应MOS管IRF640B参数

PD最大耗散功率:139WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF640B是一款常见的功率场效应晶体管(Power MOSFET),在电子设备和电路中有广泛的应用。下面将分别介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF640B可以用作开关电源中的功率开关元件。其低导通电阻和高耐压特性使其能够有效地控制高功率电路的开关,实现能量的转换和控制。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,IRF640B常被用作电机驱动器件。其能够承受较高的电流和电压,同时具有较低的导通电阻,适合用于驱动各种类型和规模的电机。

    3. 电源逆变器:逆变器是将直流电转换为交流电的重要装置,而IRF640B的高功率特性使其成为逆变器电路中的理想选择,可用于太阳能逆变器、UPS系统等。

    4. 照明控制:在LED照明系统或其他高功率照明装置中,IRF640B可用于控制电流和功率的分配,实现对照明亮度和效率的精确控制。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRF640B可以用于驱动汽车灯光、电动窗户、电动座椅等需要较大功率输出的设备。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)): IRF640B具有较低的导通电阻,能够在导通状态下减少功率损耗,提高效率。

    - 高耐压特性(VDS): IRF640B具有较高的漏极-源极耐压,可承受较高的电压,适用于各种高压环境。

    - 大电流承受能力(ID): IRF640B能够承受较大的漏极电流,适合用于高功率电路和设备的驱动与控制。

    - 热稳定性良好: 由于其封装和结构设计合理,IRF640B具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。

    - 可靠性高: 经过严格的生产工艺和质量控制,IRF640B具有较高的可靠性和稳定性,能够长时间稳定运行于各种工作环境中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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