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场效应MOS管IRF640A参数

PD最大耗散功率:139WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF640A是一款常用的功率MOSFET,具有广泛的应用场景和特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF640A在开关电源中作为开关管使用,通过其低导通电阻和良好的开关特性,有效地控制电源的开关过程,提高效率和稳定性。

    2. 电机驱动:作为电机驱动电路的关键部件,IRF640A能够承受较高的电流和电压,使得电机能够稳定运行并实现高效能输出。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,IRF640A用于控制直流电到交流电的转换,广泛应用于太阳能逆变器、UPS电源等领域。

    4. 电源管理:在各类电源管理系统中,IRF640A作为关键的功率开关器件,能够有效地实现电源的控制和管理,保证电路的稳定运行。

    5. 照明系统:在LED驱动电路和各类照明系统中,IRF640A能够提供稳定的功率输出,帮助实现照明设备的高效能运行。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:其导通电阻很低,能够在开关状态下实现较小的功耗损失,提高设备的效率。

    2. 高耐压能力:能够承受较高的漏极-源极电压(V_DS),适合各类高压应用场景。

    3. 优良的开关特性:具有快速的开关速度和良好的电流驱动能力,能够在高频率下稳定工作。

    4. 热稳定性:具备良好的散热性能和热稳定特性,能够长时间稳定运行在高温环境下。

    5. 可靠性:经过严格的测试和认证,确保其在各种恶劣环境条件下的可靠性和稳定性。

    综上所述,IRF640A作为一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET,不仅在电源、电机驱动、逆变器等领域有着重要应用,其优异的参数特点也使其成为工程设计中的重要选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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