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场效应MOS管IRF634FP参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF634FP是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRF634FP常用于主开关管,其低导通电阻和高耐压特性使其能够高效转换电能,提高整体效率。

    2. 电机驱动:由于IRF634FP具有出色的开关速度和耐用性,它在电机驱动电路中得到了广泛应用,能够实现对电机的精确控制。

    3. 逆变器:在逆变器中,IRF634FP用于实现直流电到交流电的转换。其高频率操作能力和低损耗特点,使其成为高效逆变器设计中的重要组件。

    4. 电池管理系统:IRF634FP在电池管理系统中作为保护和切换元件,能够在高电流环境下提供可靠的性能,确保电池的安全和寿命。

    5. 太阳能光伏系统:在太阳能光伏系统中,IRF634FP用于控制和转换太阳能电池板产生的电能,其高效的电能转换能力提升了系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):IRF634FP的最大漏源电压为250V,能够承受较高的电压,这使其适用于高压环境中的应用。

    - 导通电阻(Rds(on):其典型导通电阻为0.55Ω,在低电流条件下表现出较低的导通损耗,提高了电路的效率。

    - 漏极电流(Id):IRF634FP的最大连续漏极电流为9.2A,这使其能够在高电流应用中提供稳定的性能。

    - 栅极电荷(Qg):其典型总栅极电荷为39nC,低栅极电荷使其具有快速开关能力,适合高频应用。

    - 封装形式:IRF634FP采用TO-220FP封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在各种环境下可靠工作。

    综上所述,IRF634FP凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力,在电力电子领域中得到了广泛应用。这些特点使其在提高系统效率、降低功耗和提升可靠性方面表现出色,成为众多工程师首选的功率MOSFET之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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