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场效应MOS管IRF630A参数

PD最大耗散功率:72WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF630A是一种常用的功率MOSFET,具有广泛的应用场景和特点。下面分别详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:IRF630A常用于电源开关电路中,可以控制高电压和高电流的开关操作。其低导通电阻和高耐压特性使其成为理想的选择。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,IRF630A可用于PWM(脉冲宽度调制)控制,实现对电机速度和方向的精确控制。

    3. 照明应用:由于其高效能和耐压特性,IRF630A常被应用于LED照明系统中的电流控制和调光电路中。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRF630A常用于控制发动机控制单元(ECU)和电动汽车电池管理系统(BMS)等高功率应用。

    5. UPS:IRF630A在UPS系统中扮演着重要角色,用于开关逆变器和充电器等关键部件。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: IRF630A具有较低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提高效率。

    2. 高耐压特性: IRF630A能够承受较高的漏极-源极电压,适用于高压应用环境。

    3. 快速开关速度: 具有较快的开关速度,有利于降低开关损耗,提高系统效率。

    4. 良好的热稳定性:IRF630A能够在较高的工作温度下保持稳定性能,适用于苛刻的工作环境。

    5. 可靠性高: 经过严格的质量控制和可靠性测试,确保其在各种应用场景下的稳定性和可靠性。

    总之,IRF630A作为一款高性能的功率MOSFET,具有广泛的应用领域和优异的参数特点,为电源控制、电机驱动、照明系统等领域提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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