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场效应MOS管IRF624B参数

PD最大耗散功率:49WID最大漏源电流:4.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.05AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF624B是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRF624B通常用于高频开关,以实现高效的电能转换。其低导通电阻和快速开关特性,使其在开关电源中表现出色。

    2. 电机驱动:IRF624B可以用于电机驱动电路,尤其是直流电机和步进电机的控制。其高电流处理能力和低开关损耗,有助于提高电机系统的效率和稳定性。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中,IRF624B作为主开关器件,负责将直流电转换为交流电,确保系统的高效运行和可靠性。

    4. 电池管理系统:IRF624B在电池管理系统中用于电池充放电控制。其高效能和可靠性,有助于延长电池寿命和提升系统性能。

    5. 消费电子:在电视机、音响系统和计算机等消费电子产品中,IRF624B用于电源管理和电压调节,确保设备运行的稳定性和高效性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRF624B的典型导通电阻为0.75欧姆,这使得它在导通状态下具有较低的功耗,提高了整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:IRF624B能够处理高达14安培的连续电流和56安培的脉冲电流,适合用于高功率应用。

    - 耐高压:IRF624B的最大漏源电压为250伏,这使其能够在高压环境下安全运行,适用于各种高压应用场景。

    - 快速开关速度:IRF624B的开关速度非常快,典型的开关时间为几十纳秒,有助于降低开关损耗,提升电路效率。

    - 热性能优异:IRF624B的结电容和热阻特性良好,在高功率操作下能有效散热,确保器件的稳定性和长寿命。

    综上所述,IRF624B凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度和优异的热性能,成为多种电力电子应用中的理想选择。这些特点使得IRF624B在开关电源、电机驱动、逆变器、电池管理系统以及各种消费电子产品中发挥着关键作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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