收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRF624A参数

场效应MOS管IRF624A参数

PD最大耗散功率:49WID最大漏源电流:4.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.05AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRF624A是一种功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,其主要特点是能提供较高的电压和电流处理能力,同时保持较低的导通阻抗。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF624A在开关电源中作为主开关元件,有效地控制电源的开关,以提供稳定的输出电压。

    2. 电机驱动:用于驱动高功率的电机,使电机能够高效、平稳地运行。

    3. 逆变器应用:IRF624A作为逆变器中的主要开关元件,处理高电压和大电流,适合高效能转换。

    4. 汽车电子:适用于汽车电子系统,如电动汽车的电池管理系统或其他电源控制模块。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:耐压能力达到200V,适合高压应用场景。

    - 导通阻抗:导通阻抗非常低,大约为0.8欧姆,有助于减少热损耗,提高效率。

    - 电流容量:持续漏极电流可达3.6A,足以处理多种高电流应用的需求。

    - 封装类型:采用TO-220封装,有利于散热,适用于处理较大功率的场合。

    - 开关速度:具有较快的开关速度,使其在需要快速响应的电子电路中表现出色。

    综上所述,IRF624A的高耐压和电流能力,低导通阻抗以及良好的开关性能,使其在多种高要求的电子应用中表现卓越,是一种可靠和高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号