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场效应MOS管IRF620B参数

PD最大耗散功率:47WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF620B是一种常见的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF620B在开关电源中常用作开关器件,利用其低导通电阻和高开关速度的特点,有效提高了电源转换效率。尤其在DC-DC转换器中,IRF620B能够承受高电压和大电流,使其成为理想的选择。

    2. 电动工具:IRF620B被广泛应用于电动工具中,例如电钻、电锯等。其高耐压和大电流能力使其能有效地驱动电动机,并保证工具的稳定运行。此外,IRF620B的快速开关特性有助于提高电动工具的响应速度和工作效率。

    3. 电机驱动:在电机驱动电路中,IRF620B常用来控制电机的启动、停止和转速调节。其优异的开关性能和耐高压特性使其在电机控制领域表现出色,能够提供可靠的驱动能力并减少功耗。

    4. 音频放大器:IRF620B也常见于高功率音频放大器中。其低导通电阻和高线性度确保了音频信号的高保真传输,减少了失真和噪音,使音频放大器能够提供清晰和强劲的音质输出。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,IRF620B用于逆变器电路。其高效率和高可靠性特点,有助于将直流电转换为交流电,满足家庭和工业用电需求,并确保系统在高温和高负载下的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):IRF620B的最大漏源电压为200V,这使其能够承受较高的工作电压,适用于高压电源和驱动电路。

    - 导通电阻(Rds(on):IRF620B的导通电阻低至1.2Ω,在开关导通状态下能够有效减少功率损耗,提高整体电路的效率。这一特性在需要高效率转换的电源管理应用中尤为重要。

    - 漏极电流(Id):IRF620B的最大漏极电流为9.2A,允许其在大电流负载下稳定运行。这使其适合高功率驱动和控制应用,例如电动工具和电机驱动。

    - 栅极电荷(Qg):IRF620B的栅极电荷为42nC,表明其栅极驱动所需电荷较低,从而实现快速开关。这一特性对开关频率要求较高的应用,如开关电源和逆变器,非常有利。

    - 结温(Tj):IRF620B的最大结温为175°C,具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。这使得其在高功率和高温应用中表现出色,确保长期稳定工作。

    综上所述,IRF620B凭借其高耐压、低导通电阻、大电流能力、快速开关和良好的热稳定性,成为各种电子电路和系统中不可或缺的元器件。这些特点使IRF620B在开关电源、电动工具、电机驱动、音频放大器和太阳能逆变器等领域表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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