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场效应MOS管IRF620A参数

PD最大耗散功率:47WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF620A是一种常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子和电气设备中。其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF620A在开关电源中作为开关元件使用,其高效率和快速开关能力使其成为许多电源设计的首选。由于其导通电阻低,能有效减少功率损耗,提升电源效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,IRF620A常用于控制直流电机和无刷电机。它能够在高电流条件下稳定运行,并提供可靠的电流传输,从而实现精确的电机控制。

    3. 逆变器:IRF620A在逆变器电路中也有广泛应用。它能够承受高电压和高电流,非常适合用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等应用。

    4. 音频放大器:在音频放大器设计中,IRF620A因其低失真和高线性度特性,被广泛用于高保真音频设备中,能够提供清晰的音质和良好的音频性能。

    5. 电池管理系统:IRF620A还用于各种电池管理系统中,特别是锂电池保护电路。它能有效地控制充放电过程,保证电池的安全和稳定运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):IRF620A的典型导通电阻为0.85Ω,这使得它在开关状态下具有较低的功耗,提升了整个系统的效率。

    - 耐压能力(VDSS):IRF620A的耐压能力为200V,能够在高电压环境中稳定工作。这使其适用于需要处理高电压的应用场景,如开关电源和逆变器。

    - 最大漏极电流(ID):IRF620A的最大漏极电流为5.2A,能够处理较大的电流需求,非常适合高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):IRF620A的栅极电荷为22nC,表明其能够快速开关,从而在高频应用中表现出色。这使其在需要快速响应的电路中非常实用。

    - 热阻(RθJC):IRF620A的热阻较低,为1.67°C/W,这有助于其在高功率条件下有效散热,避免过热损坏。

    综上所述,IRF620A凭借其优异的电气性能和可靠的工作特性,成为许多电子应用中的关键组件。无论是在开关电源、电机驱动、逆变器、音频放大器还是电池管理系统中,IRF620A都展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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