收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管IRF550A参数

场效应MOS管IRF550A参数

PD最大耗散功率:167WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.04ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    IRF550A是一款高压N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效率和高开关速度的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:IRF550A常用于开关电源和直流-直流转换器中。其高耐压特性使其能够在高电压条件下稳定工作,适用于各种类型的电源模块和稳压器。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,IRF550A能够提供高效的电流切换,减少能量损耗,提高电机的运行效率。这使其成为工业自动化和家用电器中的理想选择。

    3. 逆变器:IRF550A在逆变器电路中具有广泛应用,尤其是在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中。其高开关速度和低导通电阻特性有助于提高逆变器的整体效率。

    4. 照明控制:IRF550A也用于高效照明系统,特别是LED驱动器和调光电路中。其高耐压和高开关频率特性使其能够在高效且可靠地控制LED照明。

    5. 通信设备:在通信设备中,IRF550A被用于高频放大器和射频(RF)电路。其高频响应特性使其适合在高频信号放大和处理应用中使用。

    二、参数特点:

    - 高耐压:IRF550A的漏源极耐压(Vds)为500V,这使其能够在高压条件下稳定工作,适用于需要高耐压的应用场景。

    - 低导通电阻:IRF550A的导通电阻(Rds(on))较低,仅为0.85Ω。这有助于减少在开关过程中的能量损耗,提高电路的效率。

    - 高开关速度:IRF550A具有较快的开关速度,其典型的开关时间为几十纳秒。快速的开关特性使其适合高频开关电路应用,如开关电源和逆变器。

    - 高输入电容:IRF550A的输入电容(Ciss)较高,约为2300pF,这在高频应用中可以提供较好的高频响应。

    - 热性能优越:IRF550A具有良好的热性能,其结-壳热阻(Rθjc)为1.6°C/W,能够在高功率条件下有效散热,保证元件的长期可靠运行。

    综上所述,IRF550A凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度等优越的参数特点,成为多种高效电子设备中不可或缺的元件。无论是在电源管理、逆变器还是通信设备中,IRF550A都能发挥其卓越的性能,提供可靠和高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号