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场效应MOS管IRF530A参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF530A是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRF530A常用于高效DC-DC转换器,利用其低导通电阻和快速开关特性,实现高效的能量转换和稳定的输出电压。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,IRF530A可以用来控制直流电机的开关和速度调节。它能够承受高电流和电压,确保电机运行的稳定性和可靠性。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,IRF530A用于将直流电转换为交流电,适用于不间断电源(UPS)和可再生能源系统,如太阳能和风能逆变器。

    4. 照明系统:IRF530A在LED驱动电路中也得到广泛应用,特别是用于大功率LED照明的调光和恒流驱动,提供高效能和长寿命的解决方案。

    5. 音频放大器:在音频放大电路中,IRF530A可以用作输出级功率放大器元件,提供高保真度和大功率输出,提升音频系统的整体性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRF530A的典型导通电阻为0.16欧姆,能够在高电流条件下保持低损耗,提高系统的整体效率。

    - 高电流能力:它的最大连续漏极电流为17安培,使其能够处理较大的电流负载,适用于高功率应用场景。

    - 高电压耐受性:IRF530A的漏源击穿电压(Vdss)为100伏特,能够在高电压环境下稳定工作,适应各种工业和消费电子应用。

    - 快速开关特性:IRF530A具有较快的开关速度,开关时间典型值在纳秒级,能够支持高频率的开关操作,减少开关损耗。

    - 热性能优越:其结温范围为-55至175摄氏度,具有良好的热稳定性和耐久性,能够在恶劣的工作环境中长期运行。

    综上所述,IRF530A是一款性能优越、应用广泛的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力电子设备和系统设计。其高效能、高可靠性和多功能性使其成为工程师们设计电源和控制电路的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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