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场效应MOS管IRF522参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:32AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF522是一款常用的N沟道MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:IRF522在开关电源中广泛应用,特别是在DC-DC转换器中。它的低导通电阻和快速开关特性使其在高效率转换中表现出色。

    2. 电机驱动:由于IRF522具有较高的电流处理能力和良好的热性能,它常用于电机驱动电路,能够有效驱动直流电机和步进电机。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统中,IRF522用于控制充放电过程,确保电池工作在安全和高效的状态下。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,IRF522常用作输出级元件,能够提供稳定的功率输出和高音质。

    5. 太阳能逆变器:IRF522在太阳能逆变器中应用,通过其高效的开关特性,提高太阳能系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:IRF522的典型导通电阻为0.27Ω,低导通电阻使得在开关状态下损耗较小,提高了电路的整体效率。

    - 最大漏极电流:IRF522能够处理的最大漏极电流为9.7A,这使其适合处理中等功率负载的应用。

    - 最大漏源电压:IRF522的最大漏源电压为100V,这意味着它可以在相对高电压的应用中安全工作。

    - 栅极电荷:IRF522的典型栅极电荷为20nC,低栅极电荷使得其能够快速切换,适合高频开关电路。

    - 热阻:IRF522的结到环境热阻为62.5°C/W,良好的热性能使其能够在高功率应用中稳定工作。

    综上所述,IRF522以其低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能,成为了开关电源、电机驱动、电池管理系统等多种应用场景的理想选择。无论是在效率要求高的电源转换器中,还是在需要稳定驱动的电机控制电路中,IRF522都能提供可靠的性能和优异的表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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