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场效应MOS管HUF76639P3参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.026ΩVRDS(ON)ld通态电流:51AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76639P3是一款先进的功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力管理系统。它具有高效能和可靠的性能,使其在以下几个方面得到了广泛应用:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):HUF76639P3在开关电源中起着至关重要的作用,特别是在高效DC-DC转换器中。它的低导通电阻和快速切换特性有助于提高电源转换效率,降低能量损耗。

    2. 电机控制:HUF76639P3经常用于电机驱动电路中,尤其是在需要高电流和高频率切换的应用中。它的高电流处理能力和耐高压特性,使其在无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动中表现出色。

    3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,HUF76639P3用于电池保护和管理。其高效能和低导通电阻特性,有助于延长电池寿命并提高系统可靠性。

    4. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,HUF76639P3用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电。其高效率和低损耗特性,有助于最大化能量输出,提升系统整体效率。

    5. 消费电子设备:HUF76639P3也广泛用于高性能消费电子产品中,如高效LED照明、音频放大器和便携式设备电源管理。这些应用受益于其高开关速度和低功耗特点。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF76639P3具有极低的导通电阻,典型值为0.009欧姆。这种低阻抗使其在高电流应用中能有效减少功率损耗,提高系统效率。

    - 高击穿电压:HUF76639P3的击穿电压高达75V,使其适用于需要处理高电压的应用场景,如电源转换和电机控制。

    - 高脉冲电流处理能力:HUF76639P3能够处理高达120A的脉冲电流,这使其在需要高瞬态电流的应用中表现优异,如电池管理系统和电机驱动。

    - 快速开关速度:HUF76639P3的快速开关特性(上升时间和下降时间分别为15ns和11ns)有助于提高高频应用中的效率,并减少开关损耗。

    - 热性能优越:HUF76639P3具有良好的热性能,其结-壳热阻仅为0.65°C/W。这意味着它能有效散热,维持稳定运行,特别是在高功率密度的应用中。

    通过以上详细描述,HUF76639P3的独特参数特点和广泛的应用场景可以看出,它在现代电子和电力管理系统中占据了重要地位。其高效能、低损耗和高可靠性使其成为许多工程师和设计师的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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