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场效应MOS管HUF76443P3参数

PD最大耗散功率:260WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76443P3是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种需要高效电源管理和快速开关的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76443P3在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和不间断电源(UPS)中,被用来提高转换效率和降低能耗。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高功率应用中表现出色。

    2. 电机驱动器:HUF76443P3常用于电机控制器和驱动器中,特别是那些需要精确控制和高效能的电机系统,如无刷直流电机(BLDC)驱动器。它的快速开关特性有助于实现更好的速度和扭矩控制。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,HUF76443P3用于各种控制电路和保护电路中,以确保系统的稳定性和可靠性。其耐高压和高电流能力,使其在恶劣的工业环境中依然能够稳定运行。

    4. 消费电子:在电脑、电视和其他消费电子设备中,HUF76443P3用于电源管理和电池保护电路。其高效能和低损耗特性,有助于延长电池寿命和提高设备性能。

    5. 太阳能和风能系统:HUF76443P3在可再生能源系统中用于逆变器和充电控制器。它的高效转换能力和耐高压特性,帮助提升系统的整体效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF76443P3的导通电阻非常低,典型值为0.022欧姆。这意味着在导通状态下,电能损耗较小,有助于提高整体系统的效率。

    - 高电流处理能力:HUF76443P3能够处理高达75安培的连续漏极电流,这使其适用于高功率应用,如电机驱动和电源管理系统。

    - 耐高压特性:该器件的漏源极电压(VDSS)额定值为55伏,能够在较高电压下稳定工作,适合应用于需要耐高压的场合。

    - 快速开关速度:HUF76443P3具有非常快的开关速度,典型的上升和下降时间分别为20纳秒和15纳秒。这使其在高频应用中能够高效工作,减少开关损耗。

    - 封装类型:HUF76443P3采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,方便在各种电路设计中集成和应用。

    综上所述,HUF76443P3是一款性能优越的MOSFET,适用于多种需要高效电源管理和快速开关的应用场景。其低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点,使其在工业、消费电子和可再生能源等领域具有广泛的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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