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场效应MOS管HUF76413P3参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.049ΩVRDS(ON)ld通态电流:23AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76413P3是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效率和高功率处理能力的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:HUF76413P3常用于开关电源中作为开关元件。它的低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地转换电能,减少能量损耗,提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,HUF76413P3用作功率开关,能够提供高电流和低导通电阻,确保电机的高效运行。同时,其耐高压特性保证了在各种负载情况下的稳定性。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和风能逆变器等可再生能源应用中,HUF76413P3起到关键的开关作用,能够在高压高频条件下稳定工作,提升逆变器的能量转换效率。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,HUF76413P3用于电池管理系统,以实现高效的充放电控制和能量管理,延长电池寿命,提高系统可靠性。

    5. 音频放大器:HUF76413P3在高保真音频放大器中也有广泛应用,凭借其出色的线性和低失真特性,提供优质的音频输出。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF76413P3具有非常低的导通电阻(Rds(on)),在减少导通损耗方面表现优异。这使其在高电流应用中能够有效降低热损耗,提高整体效率。

    - 高击穿电压:HUF76413P3的击穿电压(BVDSS)高达75V,确保在高压条件下的稳定性和可靠性。这对于需要处理高压信号的应用场景尤为重要。

    - 快速开关速度:HUF76413P3具备极快的开关速度(tr,tf),在高频率应用中能够显著降低开关损耗,提高电路效率。

    - 高电流能力:其连续漏极电流(ID)高达80A,能够承受大电流负载,适用于高功率应用场景,如电动工具和工业电机控制。

    - 热性能优越:HUF76413P3采用先进的封装技术,具有优良的热导性能,确保在高功率运行时能够有效散热,保持元件的稳定运行。

    通过上述特点和应用场景的结合,HUF76413P3在现代电子设备中扮演着至关重要的角色,提供了高效、可靠的解决方案。无论是开关电源、电机驱动还是音频放大器,HUF76413P3都能够满足苛刻的应用需求,为各类高性能电子设备的设计提供强有力的支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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